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簡(jiǎn)要描述：四探針?lè)阶桦娮杪蕼y(cè)試儀采用范德堡測(cè)量原理能解決樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差，提供通訊接口，PC軟件數(shù)據(jù)處理及數(shù)據(jù)分析.中文或英文語(yǔ)言版本.硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及國(guó)標(biāo)設(shè)計(jì)制造；GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā?
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-11-21訪 問(wèn) 量：2065產(chǎn)品分類(lèi)
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| 品牌 | 中航鼎力 | 電源 | 220v |
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四探針?lè)阶桦娮杪蕼y(cè)試儀儀描述：
采用范德堡測(cè)量原理能解決樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差，提供通訊接口，PC軟件數(shù)據(jù)處理及數(shù)據(jù)分析.中文或英文語(yǔ)言版本.
參照標(biāo)準(zhǔn)：
硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及國(guó)標(biāo)設(shè)計(jì)制造；GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā?
.適用范圍：
適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)，是檢驗(yàn)和分析半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具；液晶顯示，自動(dòng)測(cè)量和系數(shù)補(bǔ)償，并帶有溫度補(bǔ)償功能，自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程；采用芯片控制，恒流輸出，選配：PC軟件，保存和打印數(shù)據(jù)，生成報(bào)表
用于：覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類(lèi)箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試等相關(guān)產(chǎn)品
規(guī)格型model | LST-331 |
1.方塊電阻范圍 | 10^-5～2×10^5Ω/□ |
2.電阻率范圍 | 10^-6～2×10^6Ω-cm |
測(cè)試電流范圍 | 0.1μA ，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA |
4.電流精度 | ±0.1% |
5.電阻精度 | ≤0.3% |
6.顯示讀數(shù) | 液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率 |
7.測(cè)試方式 | 普通單電測(cè)量 |
8.工作電源 | 輸入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗：<30W |
9.誤差 | ≤4%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果） |
10.選購(gòu)功能 | 選購(gòu)1.pc軟件； 選購(gòu)2.方形探頭； 選購(gòu)3.直線形探頭； 選購(gòu)4.測(cè)試平臺(tái)；5.標(biāo)準(zhǔn)電阻. |
11.測(cè)試探頭 | 探針間距選購(gòu)：1mm；2mm；3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購(gòu)：碳化鎢針;白鋼針；鍍金磷銅半球形針 |
12.標(biāo)準(zhǔn)電阻（選購(gòu)） | 規(guī)格：1mΩ、10mΩ、100mΩ、1Ω、10Ω、1kΩ、10kΩ、100kΩ、1MΩ |
四探針?lè)阶桦娮杪蕼y(cè)試儀注意事項(xiàng)：
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